氮化钽 Tantalum nitride（TaN） 

中文名：氮化钽
英文名：tantalum nitride
CAS号：12033-62-4
密度：13.4 g/cm3
晶型：黑色六方结晶
熔点：3090°C
化学式：NTa
电阻率：128μΩ· cm
热导率：9.54W/(m·K)
分子量：194.95500
精确质量：194.95100
显微硬度：1100kg/m2
热导率：9.54W/(m· K)
晶格常数：a=0.4336nm，c=0.4150nm
水溶性：不溶于水、酸，微溶于王水，溶于氢氧化钾并分解释放出氨，加热至2000℃即释放出氮气。
制备方法
1.将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得。
2.以金属钽和氮气为原料制备氮化钽，反应式如下：2Ta+N2=2TaN
将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得。
作用/用途
1、用来制造精确片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。在制造集成电路的过程中，这些膜沉积在硅晶片的顶部，以形成薄膜表面贴装电阻。用来制造片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。氮化钽材料被用于制作芯片导线的保护层。
2、用作超硬质材料添加剂，可制备纯的五氯化钽：用于喷涂，增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。
包装储存：本品为充惰气塑料袋包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果；包装数量可以根据客户要求提供，分装